W25Q64JVSFIQ
Self-operatedAvailable
IC
SOIC-16-300mil
W25Q64JVSFIQ
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 64M-bit 8M x 8 6ns 16-Pin SOIC W
Brand
WINBOND
Package
SOIC-16-300mil
Lead Time
In stock
Date Code
21+
W25Q64JVSFIQ Parameters
| Package | SOIC-16-300mil |
|---|---|
| Brand | WINBOND |
| Date Code | 21+ |
| 接口类型 | SPI |
| 时钟频率(fc) | 133MHz |
| 待机电流 | 10uA |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms |
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ |
| Category | NOR FLASH |
|---|---|
| Stock | 100 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 64Mbit |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 |
| 功能特性 | 硬件写保护； 绝对写保护； 写使能锁存； 软件写保护； 上电复位 |
W25Q64JVSFIQ Overview
NOR Flash Serial (SPI, Dual SPI, Quad SPI) 3V/3.3V 64M-bit 8M x 8 6ns 16-Pin SOIC W
W25Q64JVSFIQ Features
- 非易失性存储：W25Q64JVSFIQ 在断电后依然可以保留存储的数据， 非常适合需要持久性存储的应用场合。
- 闪存技术：采用闪存技术， 具备高读写速度和较低的写入复杂度， 支持单SPI、双SPI和四SPI模式， 提高数据传输速率。
- 存储容量：64Mb（8M x 8）的存储空间， 能够存储大量数据文件， 满足现代应用的需求。
- 时钟频率：最高可支持133MHz的时钟频率， 在高性能需求的应用中， 能够显著提高访问速度。
- 快速写入：程序写周期仅需3ms， 有效提高了数据写入的效率， 适用于需频繁更新数据的场景。
- 稳健的工作温度范围：支持在-40°C 至 85°C 的工作温度范围， 使得该存储器能在各种严苛环境下稳定可靠地运行。
- W25Q64JVSFIQ 的表现相较于传统적인 EEPROM 和其他NOR闪存器件具有明显优势。 高速的数据读写性能、高度的灵活性以及广泛的应用适应性， 使其成为了当今电子设计中的热门选择。 非易失性存储的属性， 也使其在数据缓存及暂存的应用场景中， 可有效提高系统可靠性。
W25Q64JVSFIQ Applications
- W25Q64JVSFIQ 广泛适用于各类行业， 包括
- 消费电子：例如智能手机、平板电脑及游戏机等， 凭借其高速读写能力和非易失性， 提升设备性能。
- 汽车电子：在汽车的防盗系统、导航、娱乐系统等领域， 提供稳定可靠的数据存储解决方案。
- 工业控制：在工业自动化和设备监控中， 提供上传数据及程序更新的需求， 确保设备持久稳定运行。
- 网络设备：如路由器和交换机， 使用其高速存储特性， 以快速存取配置及日志文件。