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TSY-83LN+
Self-operatedAvailable
IC

QFN-12(3x3)

TSY-83LN+

TSY-83LN+ is a Mini-Circuits RF Low-NoiseAmplifiers in QFN-12(3x3) package.

Brand

Mini-Circuits

Package

QFN-12(3x3)

Lead Time

In stock

Date Code

—

TSY-83LN+ Parameters

PackageQFN-12(3x3)
BrandMini-Circuits
MOQ / SPQ1 / 1
工作电流104mA
P1dB22.9dBm
Operating Temperature-45℃~+105℃
输入回波损耗16.4dB
IP333.6dBm
Product Name50Ω 0.4 - 8GHz 低噪声放大器旁路模式特性
PackagingTape & Reel
Product TypeRF Low-NoiseAmplifiers
CategoryRF Low-NoiseAmplifiers
Stock100
工作电压5V~6V
增益22.3dB
噪声系数1.5dB
Frequency400MHz~8GHz
输出回波损耗20dB
功能特性旁路模式
Part NumberTSY-83LN+
Unitpcs
Product Weight3.5e-05

TSY-83LN+ Overview

射频放大器 SMT Low Noise Amplifier, 400 - 8000 MHz, 50ohm

TSY-83LN+ Features

  • 旁路模式功能:允许用户在保持电源电压恒定的同时快速切换到低损耗旁路路径, 以降低增益并在高功率RF信号存在时保护系统。
  • 低噪声系数:典型值为2 GHz时1.5 dB, 在放大模式下提供极小的信噪比劣化。
  • 高OIP3:典型值为2 GHz时+33.6 dBm, 低噪声系数和高IP3的组合使其适用于对高动态范围至关重要的敏感低噪声接收器前端。
  • 宽带宽与扁平增益:在0.4至6 GHz范围内±0.6 dB, 使单个放大器可用于多个应用。
  • 3x3 mm 12引脚QFN风格封装:小尺寸节省密集布局空间, 提供低电感、可重复的过渡以及与PCB的良好热接触, 行业标准封装便于大批量制造过程中的组装。

TSY-83LN+ Applications

  • 5G Sub6, MIMO无线基础设施系统
  • 测试与测量设备

Business Email

sales@womaielec.com

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TSY-83LN+ Mini-Circuits | IC-CHIP B2B