TLV8542DR
Self-operatedAvailable
IC
SOIC-8
TLV8542DR
TLV8542DR is a TI Operational Amplifiers in SOIC-8 package.
Brand
TI
Package
SOIC-8
Lead Time
In stock
Date Code
Older than 2 years
TLV8542DR Parameters
| Package | SOIC-8 |
|---|---|
| Brand | TI |
| Date Code | Older than 2 years |
| 放大器数 | 2 |
| 轨到轨 | 轨到轨输入, 轨到轨输出 |
| 输入失调电压(Vos) | 3.1mV |
| 压摆率(SR) | 4.5V/ms |
| 输入失调电流(Ios) | 0.1pA |
| 共模抑制比(CMRR) | 90dB |
| OutputCurrent | 15mA |
| 单电源电压 | 1.7V~3.6V |
| Category | Operational Amplifiers |
|---|---|
| Stock | 3,032 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 最大电源宽度(Vdd-Vss) | 3.6V |
| 增益带宽积(GBW) | 8kHz |
| 输入失调电压温漂(Vos TC) | 800nV/℃ |
| 输入偏置电流(Ib) | 0.1pA |
| 输入电压噪声密度(eN) | 264nV/√Hz@1kHz |
| 静态电流(Iq) | 550nA |
| Operating Temperature | -40℃~+125℃ |
| 功能特性 | 内置补偿； EMI滤波/RF抑制 |
TLV8542DR Overview
运算放大器 0.0045V/us 双路 0.1pA 8kHz SOIC-8
TLV8542DR Features
- TLV8542DR是德州仪器（TI）推出的 双路通用运算放大器， 针对低功耗、高阻抗信号处理及宽共模范围需求优化， 核心特点包括：双独立运算通道、轨到轨输入/输出（RRI/RRO）、超低静态电流（仅550nA）、超微输入偏置电流（0.1pA）、宽电源电压范围（1.7V3.6V）及工业级温度适应性（-40℃125℃）。 该器件以紧凑的8-SOIC封装实现性能与体积的平衡， 适合电池供电设备、传感器信号调理等多场景应用。
TLV8542DR Applications
- TLV8542DR的性能特点使其覆盖多领域应用
- 电池供电便携设备：可穿戴健康监测仪、无线传感器节点、手持万用表， 低功耗延长续航
- 传感器信号调理：压力传感器、温度传感器、光电传感器的信号放大/滤波， 高阻抗输入匹配传感器输出
- 工业控制与监测：工业现场的温度/压力监测、电机控制辅助电路， 工业级温度范围适配 harsh 环境
- 低速数据采集：12位/16位ADC的前置放大， 中等带宽满足低速采样需求
- 医疗便携设备：血糖监测仪、低功耗监护仪， 低噪声保证生物信号精度。