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TLV272IDR
Self-operatedAvailable
IC

SOIC-8

TLV272IDR

TLV272IDR is a TI Operational Amplifiers in SOIC-8 package.

Brand

TI

Package

SOIC-8

Lead Time

In stock

Date Code

Within 2 years

TLV272IDR Parameters

PackageSOIC-8
BrandTI
Date CodeWithin 2 years
放大器数2
轨到轨轨到轨输出
输入失调电压(Vos)5mV
压摆率(SR)2.4V/us
输入失调电流(Ios)60pA
共模抑制比(CMRR)85dB
OutputCurrent7mA
单电源电压2.7V~16V
CategoryOperational Amplifiers
Stock5,323
MOQ / SPQ1 / 1
最大电源宽度(Vdd-Vss)16V
增益带宽积(GBW)3MHz
输入失调电压温漂(Vos TC)58uV/℃
输入偏置电流(Ib)60pA
输入电压噪声密度(eN)39nV/√Hz@1kHz
静态电流(Iq)550uA
Operating Temperature-40℃~+125℃
双电源电压(Vee~Vcc)1.35V~8V; -8V~-1.35V

TLV272IDR Overview

运算放大器 2.6V/us 双路 1pA 3MHz

TLV272IDR Features

  • 放大器类型:TLV272IDR 采用 CMOS 技术, 这使得其在低功耗和高输入阻抗方面表现出色。 CMOS 放大器相较于传统的双极型放大器(BJT), 在静态功耗和输入失调电压方面有优势。
  • 电路数:本器件内部集成了两个独立的运算放大器, 方便在双通道应用中使用, 这为多种功能提供了灵活性。
  • 输出类型:该器件支持满摆幅输出, 能够在更广泛的信号范围内提供高线性度的放大, 不会出现信号削顶现象, 非常适合音频和视频信号处理。
  • 压摆率:TLV272IDR 的压摆率为 2.6 V/µs, 确保其能够快速跟踪输入信号变化, 适合高动态范围的应用。
  • 增益带宽积:具有 3 MHz 的增益带宽积, 这对于需要较高增益和频率响应的应用(如滤波器和放大器电路)尤为重要。
  • 输入偏置电流与补偿电压:输入偏置电流为 1 pA, 输入补偿电压为 500 µV, 这使其在高阻抗信号源的应用中表现出色, 有助于减少信号失真和保证信号的完整性。
  • 供电和输出电流:器件工作于 2.7V 到 16V 的供电电压范围, 且每通道的输出电流可达到 8mA, 这使得 TLV272IDR 适合多种电源配置, 并可以驱动多种负载。
  • 工作温度范围:TLV272IDR 在-40°C 至 125°C 的宽广温度范围内稳定工作, 保证了其在极端环境下的可靠性, 适合工业及汽车领域的应用。
  • 封装类型:采用 8-SOIC 封装(0.154", 3.90mm 宽), 其较小的占用空间适合高密度的电路设计。

TLV272IDR Applications

  • TLV272IDR 的各种特性使其非常适用于以下应用
  • 传感器接口:高输入阻抗和低输入偏置电流特性使得 TLV272IDR 适合用于连接高阻抗传感器(如热电偶、光电二极管等), 确保信号的准确传输和放大。
  • 音频处理:由于其满摆幅输出和良好的线性度, 该运算放大器可广泛应用于音频信号处理电路, 比如音频前置放大器和滤波器。
  • 信号调理:TLV272IDR 在控制系统和测量电路中被广泛使用, 负责对传感器输出信号进行调理, 确保后续电路的精确度和可靠性。
  • 通讯设备:在无线通讯和有线通讯中, 它也可用于放大和处理调制解调信号。

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