NDS7002A
Self-operatedAvailable
IC
SOT-23-3L
NDS7002A
NDS7002A is a ON MOSFETs(MOSFET) in SOT-23-3L package.
Brand
ON
Package
SOT-23-3L
Lead Time
In stock
Date Code
Within 2 years
NDS7002A Parameters
| Package | SOT-23-3L |
|---|---|
| Brand | ON |
| Date Code | Within 2 years |
| 数量 | 1个N沟道 |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.2Ω@10V |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.6V |
| 输入电容(Ciss) | 27pF |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| OutputCapacitors(Coss) | 18pF |
| Product Name | 耐压:60V 电流:0.3A |
| Package | SOT-23 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 3.1787e-05 |
| Category | MOSFETs(MOSFET) |
|---|---|
| Stock | 10,861 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 耗散功率(Pd) | 350mW |
| 栅极电荷量(Qg) | 3nC@4.5V |
| 反向传输电容(Crss) | 2pF |
| 类型 | N沟道 |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
| Part Number | NDS7002A |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | MOSFETs(MOSFET) |
NDS7002A Overview
场效应管(MOSFET) 300mW 60V 280mA 1个N沟道
NDS7002A Features
- 人体模型（HBM）静电放电保护等级典型值 >6 kV
- 高性能沟槽技术， 实现极低的 RDS(ON)
- VDS(V) = 100 V
- ID = 4.2 A（VGS = 10 V）
- RDS(ON) < 104 mΩ（VGS = 10 V）
- RDS(ON) < 156 mΩ（VGS = 4.5 V）
- 屏蔽栅 MOSFET 技术
- 在广泛使用的表面贴装封装中具备高功率和电流处理能力
NDS7002A Applications
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
- 驱动器:继电器、螺线管、灯、锤、显示器、存储器、晶体管等
- 电池供电系统
- 固态继电器