MMBT3906LP-7
Self-operatedAvailable
IC
DFN-3(1x0.6)
MMBT3906LP-7
MMBT3906LP-7 is a DIODES Transistors(BJT) in DFN-3(1x0.6) package.
Brand
DIODES
Package
DFN-3(1x0.6)
Lead Time
In stock
Date Code
Within 2 years
MMBT3906LP-7 Parameters
| Package | DFN-3(1x0.6) |
|---|---|
| Brand | DIODES |
| Date Code | Within 2 years |
| 晶体管类型 | PNP |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 直流电流增益(hFE) | 100 |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃ |
| 数量 | 1个PNP |
| Part Number | MMBT3906LP-7 |
| Unit | pcs |
| Product Weight | 2.5e-05 |
| Category | Transistors(BJT) |
|---|---|
| Stock | 3,000 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 集电极电流(Ic) | 200mA |
| 耗散功率(Pd) | 1W |
| 特征频率(fT) | 300MHz |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 250mV |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
| Product Name | PNP 电流:200mA 电压:40V |
| Packaging | Tape & Reel |
| Product Type | Transistors(BJT) |
MMBT3906LP-7 Overview
三极管(BJT) 250mW 40V 200mA PNP
MMBT3906LP-7 Features
- 集电极
- 发射极击穿电压（BVCEO）> -40V
- 集电极电流（IC）= -200 mA， 高集电极电流
- 功率耗散（PD）= 1000 mW
- 封装占位面积 0.60 mm²， 比 SOT23 小 13 倍
- 封装高度 0.5mm， 最大限度降低板外轮廓
- 互补 NPN 型 DIODES™ MMBT3904LP
- 完全无铅且完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑， “绿色”器件