MB85RC04VPNF-G-JNERE1
Self-operatedAvailable
IC
SOIC-8
MB85RC04VPNF-G-JNERE1
F-RAM 4kbit FRAM, I2C, 3.0V 5.5V - SOP8
Brand
RAMXEED
Package
SOIC-8
Lead Time
In stock
Date Code
26+
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 Parameters
| Package | SOIC-8 |
|---|---|
| Brand | RAMXEED |
| Date Code | 26+ |
| 接口类型 | I2C |
| 工作电压 | 3V~5.5V |
| 时钟频率(fc) | 1MHz |
| Operating Temperature | -40℃~+85℃ |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 |
| Category | FerroelectricMemory(FRAM) |
|---|---|
| Stock | 28,228 |
| MOQ / SPQ | 1 / 1 |
| 存储容量 | 4Kbit |
| 工作电流 | 90uA |
| 待机电流 | 5uA |
| 擦写寿命 | 1000000000000次 |
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 Overview
F-RAM 4kbit FRAM, I2C, 3.0V 5.5V - SOP8
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 Features
- 存储器类型：MB85RC04VPNF-G-JNERE1采用非易失性的FRAM技术， 与传统的闪存和EEPROM相比， FRAM在读写速度和耐久性上有显著优势， 能够支持更高的写入频率， 适合频繁写入的应用场景。
- 存储容量：该产品的存储容量为4Kb， 分为512个数据字节（8位）， 满足多样化的数据存储需求。
- 接口特性：存储器采用I²C接口， 最高时钟频率可达1MHz， 确保了数据传输的高效性和灵活性， 方便与各种微控制器和其他数字电路的连接。
- 访问时间：MB85RC04VPNF-G-JNERE1的访问时间为550ns， 能够快速响应外部请求， 适合对实时性要求较高的应用。
- 电源要求：此内存的供电电压范围为3V至5.5V， 不仅兼容多种电源系统， 还能有效控制功耗， 适合长期使用的设备。
- 工作温度：该存储器的工作温度范围为-40°C到85°C， 确保其在恶劣环境下的稳定工作， 适用于工业、汽车和家电等多种重要应用场合。
- 封装和安装：MB85RC04VPNF-G-JNERE1采用8-SOP封装， 符合表面贴装（SMD）技术， 便于自动化焊接和集成在密集电路板中。
MB85RC04VPNF-G-JNERE1 Applications
- MB85RC04VPNF-G-JNERE1广泛应用于各种需要快速、可靠、长效存储的电子设备， 包括但不限于以下领域
- 工业自动化：在PLC（可编程逻辑控制器）和监控系统中， 利用其高耐久性和快速读写能力来存储配置数据和状态信息。
- 汽车电子：作为汽车控制单元中的内存替代方案， 存储传感器数据、阈值设置和故障记录， 提升汽车电子系统的可靠性和安全性。
- 智能家居：在智能家居设备中， 常用于保存用户设定、个性化配置和数据采集， 确保设备断电后数据不丢失。
- 医疗设备：医疗设备中存储病人数据、设备设置与使用记录， FRAM具备高安全性与耐用性， 满足医疗行业严格的可靠性要求。
- 物联网（IoT）：在IoT设备中， 由于其低功耗及高耐久性特性， 可以满足各类传感器和执行器的数据存储需求。