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1EDN7550B
Self-operatedAvailable
IC

SOT-23-6

1EDN7550B

Driver 5A 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 6-Pin SOT-23

Brand

Infineon

Package

SOT-23-6

Lead Time

In stock

Date Code

26+

1EDN7550B Parameters

PackageSOT-23-6
BrandInfineon
Date Code26+
驱动配置高边; 半桥
驱动通道数1
拉电流(IOH)4A
上升时间(tr)6.5ns
传播延迟 tpLH45ns
特性欠压保护(UVP)
静态电流(Iq)1.1mA
CategoryGate Driver ICs
Stock1
MOQ / SPQ1 / 1
负载类型MOSFET
灌电流(IOL)8A
工作电压4.5V~20V
下降时间(tf)4.5ns
传播延迟 tpHL45ns
Operating Temperature-40℃~+150℃
功能特性使能关断

1EDN7550B Overview

Driver 5A 1-OUT High Side/Low Side Half Brdg Non-Inv 6-Pin SOT-23

1EDN7550B Features

  • 1EDN7550B的核心参数覆盖驱动性能、可靠性与功耗, 关键指标如下
  • 驱动拓扑灵活:支持高边驱动或半桥拓扑, 适配不同系统架构(如半桥电机驱动、高边负载开关)
  • 强驱动能力:灌电流(IOL)达8A(关断MOSFET时快速拉低栅极, 减少关断损耗), 拉电流(IOH)4A(导通时快速充电栅极, 提升导通速度)
  • 快速开关响应:上升时间(tr)仅6.5ns, 下降时间(tf)4.5ns, 传播延迟(tpLH/tpHL)均为45ns, 适合≤1MHz高频应用
  • 宽电压范围:4.5V~20V输入, 兼容12V、24V主流系统电压, 无需额外电平转换
  • 低静态功耗:静态电流(Iq)仅1.1mA, 对电池供电设备的待机功耗控制友好
  • 宽温耐受:工作温度-40℃~+150℃, 适配工业环境或高温应用
  • 集成保护:内置欠压保护(UVP), 电源电压低于阈值时禁用输出, 防止MOSFET过热损坏。
  • 驱动能力与损耗优化 8A灌电流可快速拉低MOSFET栅极电压, 减少关断延迟
  • 4A拉电流能快速充电栅极, 适配栅极电荷(Q_g)≤20nC的中低功率MOSFET(如英飞凌OptiMOS小封装器件), 有效降低开关损耗。
  • 欠压保护(UVP)机制 当VCC电压低于典型阈值(≈4V)时, 驱动器自动禁用输出, 避免MOSFET因栅极电压不足导致导通电阻过大、发热严重, 提升系统可靠性。
  • 宽电压与温度适配 4.5V20V覆盖消费电子(5V)、工业(12V/24V)等场景
  • -40℃+150℃支持户外、车载(需确认AEC-Q101认证型号)等严苛环境。

1EDN7550B Applications

  • 1EDN7550B适配多类中低功率场景
  • 小型电机驱动:消费电子风扇、玩具电机、小型伺服电机的半桥双向驱动
  • 低功率DC-DC转换:Buck-Boost拓扑、半桥LLC电源模块的开关驱动
  • 负载开关控制:便携设备(手机、平板)的电源路径高边驱动, 实现电源切换与保护
  • 工业控制:小型执行器、传感器模块的驱动电路
  • 汽车辅助系统:座椅调节、后视镜折叠等低功率执行器驱动(需匹配AEC-Q认证型号)。

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