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1ED3123MC12HXUMA1
Self-operatedAvailable
IC

DSO-8

1ED3123MC12HXUMA1

EICEDRIVER X3 COMPACT

Brand

Infineon

Package

DSO-8

Lead Time

In stock

Date Code

24+

1ED3123MC12HXUMA1 Parameters

PackageDSO-8
BrandInfineon
Date Code24+
负载类型MOSFET; IGBT
灌电流(IOL)14A
工作电压8V~35V
下降时间(tf)15ns
传播延迟 tpHL90ns
Operating Temperature-40℃~+125℃
功能特性使能关断; 交错导通保护
宽工作电压范围8V~35V, 适配12V、24V等常见电源拓扑, 无需额外稳压电路即可稳定工作
低静态功耗静态电流(Iq)仅1.1mA, 待机状态下功耗极低, 适合对功耗敏感的电池供电设备
CategoryGate Driver ICs
Stock1
MOQ / SPQ1 / 1
驱动通道数1
拉电流(IOH)14A
上升时间(tr)30ns
传播延迟 tpLH90ns
特性欠压保护(UVP); 短路保护(SCP)
静态电流(Iq)1.1mA
驱动电流能力灌电流(IOL)与拉电流(IOH)均达14A, 可快速充放电MOSFET/IGBT的栅极电容, 支持大功率器件的高频开关, 减少开关损耗
快速开关性能上升时间(tr)30ns、下降时间(tf)15ns, 传播延迟(tpLH/tpHL)均为90ns, 开关速度快且延迟匹配, 有助于提升系统响应速度与效率
工业级温度范围-40℃~+125℃, 可稳定工作于高低温极端环境, 满足工业自动化、户外电源等场景需求。

1ED3123MC12HXUMA1 Overview

EICEDRIVER X3 COMPACT

1ED3123MC12HXUMA1 Features

  • 该驱动器定位于 紧凑空间下的中功率栅极驱动场景, 核心特性可概括为:单通道设计、大电流驱动能力、宽电压/温度范围、集成关键保护功能, 同时以DSO-8小封装实现高密度集成, 无需额外复杂外围电路即可满足多数中功率应用需求。
  • 相比同类单通道栅极驱动器, 1ED3123MC12HXUMA1的核心优势在于
  • 高驱动性能与效率:14A大电流+快速开关, 减少开关损耗, 提升系统能效
  • 简化设计:集成UVP、SCP保护, 无需额外外围元件, 降低BOM成本与设计复杂度
  • 宽适应性:宽电压/温度范围, 适配多种电源系统与恶劣环境
  • 小尺寸集成:DSO-8封装, 适合紧凑型产品设计
  • 低功耗待机:1.1mA静态电流, 延长电池供电设备的续航时间。
  • 综上, 英飞凌1ED3123MC12HXUMA1是一款专为中功率MOSFET/IGBT驱动设计的高性价比栅极驱动器, 可广泛应用于工业、新能源、电动交通等领域, 兼顾性能、可靠性与设计灵活性。

1ED3123MC12HXUMA1 Applications

  • 1ED3123MC12HXUMA1采用 DSO-8封装 (8引脚小外形封装), 尺寸紧凑, 可大幅节省PCB空间, 适合高密度设计。 其典型应用场景包括
  • 工业伺服驱动器、交流电机驱动
  • 不间断电源(UPS)、光伏逆变器
  • 电动自行车/摩托车控制器、小型电动车驱动
  • 开关电源(SMPS)、电池管理系统(BMS)辅助电路。

Business Email

sales@womaielec.com

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